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现代集成电路制造工艺原理第十一章淀积薄膜和薄膜淀积薄膜特性膜对台阶的覆盖高的深宽比间隙厚度均匀性，膜纯度和密度化学剂量分析，膜的结构，膜的粘附性薄膜生长膜淀积技术化学气相淀积（CVD）CVD化学过程CVD反应CVD反应步骤速度限制阶段CVD气流动力学CVD反应中的压力CVD过程中的掺杂CVD过程中的掺杂CVD过程中的掺杂CVD过程中的掺杂CVD反应器加热CVD反应器配置常压CVD（APCVD）常压CVD（APCVD）低压CVD（LPCVD）低压CVD氮化硅多晶硅等离子体辅助CVD等离子体增强CVD（PECVD）等离子体增强CVD（PECVD）等离子体增强CVD（PECVD）高密度等离子体CVD高密度等离子体CVD旋涂绝缘介质（SOD）外延外延气相外延（VPE）金属有机CVD（MOCVD）分子束外延（MBE）
