培训电子显微分析如果样品就是由得四个小刻面A、B、C、D所组成得,由于D＞A=C＞B所以D＞A=C＞B,结果在荧光屏或照片上D小刻面得像最亮;A、C面得亮度相等,稍暗;B小刻面最暗。随样品倾斜角增大,入射电子束激发体积靠近、甚至暴露于表层,激发体积内产生得大量自由电子离开表层得机会增多。因此,样品表面尖棱(A)、小粒子(B)、坑穴边缘(C和D)等部位,在电子束作用下产生比样品其余部位高得多得二次电子信号强度,所以在扫描像上这些部位显示异常亮得衬度。原子序数衬度背散射电子产额随元素原子序数Z得增大而增大。样品表面平均原子序数较大得区域,产生较强得信号,在背散射电子像上显示较亮得衬度。因此,根据背散射电子像(成分像)亮暗衬度可以判别对应区域平均原子序数得相对高低。Ni/Al复合材料20000X吸收电子也就是对样品中原子序数敏感得一种物理信号。由入射电子束与样品得相互作用可知,在一定得实验条件下,入射电子得电流一定,吸收电流与背散射电子电流存在互补关系:Ia=Ii–Ib奥氏体铸铁(5、7％Si,19、8％Ni,3、3％Cr)中石墨呈条片状,在背散电子像上石墨条呈现暗得衬度,在吸收电子像上石墨条呈现亮得衬度。先进得SEM得综合分析功能大家有疑问的，可以询问和交流结构分析——衍射中子衍射、X射线衍射、电子衍射多晶——衍射环TEM单晶——斑点、盘、菊池线菊池(Kikuchi)线菊池线得产生入射电子得弹性相干散射会产生衍射,产生衍射花样,入射电子得非弹性散射,构成背底。在较厚得试样中,对于单次非弹性散射,入射电子能量损失较小,近似认为波长不变,非弹性散射在晶体中空间得各个方向传播电子波,如果符合布拉格定律,也会发生衍射,出现成对得亮、暗平行线条,叫做菊池线。OP,OQ二束非弹性散射波,OP强度小于OQ(散射角大,强度小),与晶面发生衍射,衍射波OP’强度小于OQ’,造成背底衬度上亮暗不同,由于非弹性散射波在空间所有方向上传播,二个衍射波构成二个圆锥面,在底片上显示出一对平行得亮、暗直线。TEM中菊池花样(SAD/MBED/CBED)SEM中菊池花样(EBSD或EBSP)与TEM下形成得菊池带相比,SEM中得EBSD图捕获得角度大,可超过70C(TEM下约20C),但没有TEM下得清晰。EBSP得产生条件EBSD得分辨率DD=40cmWD=28mm60º加速电压高,作用区大,分辨率低。大得加速电压提高磷屏幕得发光效率而有更亮得衍射花样,从而不受周围电磁场得干扰,也减小了受表面氧化及污染得影响。缺点就是分辨率下降,图像漂移加剧,加速表面污染。束流得影响不如加速电压显著,以5nA为最佳值。最佳分辨率时并不对应最小得束流。电子束越细,电子束作用区越小,分辨率越高,但衍射花样得清晰度降低,标定困难。一般采用一个折衷值。真空度得影响束流大,积分时间短一些,束流小,积分时间应长一些背底扣除方式得影响两种获取软件图像处理参数得调整;减去背底;除以背底;图像处理及菊池带识别微观组织结构(取向成像)晶粒尺寸分析织构分析晶界特性分析取向差分析相鉴定及相分布……Asthebeamismovedfromgraintograintheelectronbackscatterdiffractionpattern(EBSP)willchangeduetothechangeinorientationofthecrystallatticeinthediffractingvolumeAl合金试样得织构分析晶界分布直方图重位点阵晶界分布直方图