目录目录大规模集成电路不仅在对民用设备如电视机、计算机等的发展起到重要的作用，同时在军事、通讯、航空航天等高科技领域也得到广泛的应用。年行业总产值达亿元，同比增长35.5%，GDP占有率增至0.6%。21世纪随着新材料技术的发展，集成电路小型化的趋势致使各电子器件线宽的特征尺寸更加细微。在新型材料研究和纳米技术的引进下，精微尺寸控制、表面高覆盖率和高均匀一致性成为微纳器件制备研究的重要课题。国内制造水平先进制造计划(AdvancedManufacturingInitiative)建设国家安全关键产业的国内制造能力启动“材料基因组计划”新一代机器人开发创新型的节能制造工艺和材料目录集成电路线宽缩小所引起的薄膜需求：栅极电介质、DRAM电容电介质需要高k薄膜材料(<10nm)；深宽比高达100:1以上的孔洞表面薄膜也需要高覆盖率；互连扩散阻挡层也变得越来越薄。P.A.Packan,Science,1999传统薄膜镀层技术的问题原子沉积技术简介ALD的工艺特点选择添加工艺流程自主装分子钝化剂门电极自对准堆积ALD的工艺应用AMI计划将通过新技术应用研究计划、创立和普及新颖的制造业设计方法，以及共享支撑现有制造产业升级的技术基础设施等举措来支持先进制造业的创新“确保在先进制造业的领先地位”。氧化物介电层Al2O3,TiO2,ZrO2,HfO2,Ta2O5,Nb2O5,Y2O3,MgO,CeO2,SiO2,La2O3,SrTiO3,BaTiO3优化整个工艺流程，使之更绿色环保在新型材料研究和纳米技术的引进下，精微尺寸控制、表面高覆盖率和高均匀一致性成为微纳器件制备研究的重要课题。体积较大的取代基(如叔丁基)能够稳定bis-amidinate型前驱体分子,而小体积取代基(如异丙基、2-丁基)更容易发生β-H的迁移而使前驱体重排分解透明导体/半导体In2O3,In2O3:Sn,I2O3:F,In2O3:Zr,SnO2,SnO2:Sb,ZnO,ZnO:Al,Ga2O3,NiO,CoOx互连扩散阻挡层也变得越来越薄。原子沉积技术具有亚纳米级的尺寸可控性以及优异的沉积均匀性和一致性；前驱体合理设计和高效设备的开发是推广原子沉积技术的关键。“英特尔对铪的创新使用，显著降低了晶体管的能耗”原材料和专用制造设备对外依存度高引入新材料、新的制备工艺，势必需要改变工艺流程；用ALD生长自对准高介电/金属闸极堆积理论和实验均表明，纳米颗粒的催化、储能性能和尺寸、组分、形貌有密切关系；其他三元材料LaCoO3,LaNiO3深宽比高达100:1以上的孔洞表面薄膜也需要高覆盖率；太阳能电池技术发展的薄膜要求其他纳米结构-纳米颗粒目录科学挑战理论和实验均表明，纳米颗粒的催化、储能性能和尺寸、组分、形貌有密切关系；国内制造仅能满足20%的国内需求总统科技顾问委员会报告在新型材料研究和纳米技术的引进下，精微尺寸控制、表面高覆盖率和高均匀一致性成为微纳器件制备研究的重要课题。该成果获得半导体研究协会SimonKarecki奖，以及德州仪器微电子领域女性领袖奖。透明导体/半导体In2O3,In2O3:Sn,I2O3:F,In2O3:Zr,SnO2,SnO2:Sb,ZnO,ZnO:Al,Ga2O3,NiO,CoOx体积较大的取代基(如叔丁基)能够稳定bis-amidinate型前驱体分子,而小体积取代基(如异丙基、2-丁基)更容易发生β-H的迁移而使前驱体重排分解引入新材料、新的制备工艺，势必需要改变工艺流程；用ALD生长自对准高介电/金属闸极堆积随着芯片上集成的微处理器数量越来越多，尺寸越来越小，金属氧化物场效应管(MOS)需要非常薄的门电极绝缘层（提高较高的电容）；其他纳米结构-纳米颗粒把握电子元件制造未来的微型化的方向，必须突破新型材料微纳尺寸控制和性能优化等关键技术问题。延长使用寿命需要薄膜具有搞的稳定性“Wedisregardinourtreatmentthespecialcaseofsuchthinlayers(<50Å)…sinceitishardlypossibletoproducesuchthinlayerswithoutpinholesorlargerdefects.互连扩散阻挡层也变得越来越薄。集成电路线宽缩小所引起的薄膜需求：用空间上的位移来取代时间上的清洗间隔，大大提高产率。ALD在半导体行业已取得大规模的工业应用，而进一步应用到大面积薄膜制备（例如太阳能，显示器等），则需要设备方面的创新，开发低真空或无需真空的ALD技术，从而不断推动其在工业生产中的应用。A自主设计ALD设备利用气流来控制常压反应腔内不同前驱体间的隔离密封；通过气流和驱动轴精确控制基底与气体喷嘴之间的