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DigitalDesign——Chapter33.1（a）0（e）undefined（h）probably13.2（a）1（e）undefined（f）probably03.5True.(A∙B)’=A’+B’3.9ACMOSNANDgateisfaster.(P92)3.16ACMOSinvertinggatehasfewertransistors.3.17A∙B∙C,A+B+C,A∙B+C,(A+B)∙C3.18NANDisfaster.3.27(d)RThev=470//470=235Ω，IntheHIGHstate,sourcingcurrentisoutofspec.IntheLOWstate,sinkingcurrentisoutofspec.3.37hysteresis=3.39①输出为低态时，希望电阻大，功耗小②从低到高转换时，希望电阻小，上升时间小3.42“线与”外界上拉电阻R，由低到高转换过程的上升时间取决于R和CL，R通常比有源上拉的P沟道管子导通阻抗大，所以速度较慢。3.47ndiodesforann-inputdiodeANDgate3.49P.167Table3-10（a）74LSdriving74AS,fanoutinhigh-stateis,fanoutinlow-stateis,theoverallfanoutis16,“excess”drivingcapabilityis4*20uA=80uA。（b）74LS驱动74F能力：高态扇出系数，低态扇出系数，总扇出系数为13，高态剩余驱动力140μA。3.52肖特基晶体管：优点是浅饱和、转换速度快；缺点是使集射极间电压降上升（饱和时），低态噪声容限下降。3.5374ALS00低态容限0.8-0.5=0.3V；高态容限2.7-2.0=0.7V3.56P167Table3-10P146Table3-6参考AHCT（c）高态直流噪声容限为2.7-2.0=0.7V，低态直流噪声容限为0.8-0.5=0.3V。3.57（a）fanout=10,“excess”drivingcapabilityis3.8mAintheHIGHstate.（b）扇出2，高态剩余3900。3.61Z=(A+B’)’3.62Z=(AB’)’高性价比安卓智能手机排行榜_热门促销智能手机推荐www.197gouwu.com
