CCDCCDSensorSensor与与CMOSCMOSSensorSensor基本原理基本原理感光元件感光元件CCD(ChargeCoupledDevice)材质为硅晶半导体基本原理类似CASIO计算器上的太阳能电池，通过光电效应，由感光元件表面感应来源光线，从而转换成存贮电荷的能力光线越强、电荷也就越多，这些电荷就成为判断光线强弱大小的依据CCD元件上安排有通道线路，将这些电荷传输至放大解码原件，就能还原所有CCD上感光元件产生的讯号感光元件感光元件(Cont.)(Cont.)CMOS(ComplementaryMetal-OxideSemiconductor)CMOS的制造技术和CCD不同，反而比较接近一般电脑芯片。CMOS的材质主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体在CMOS上共存着带N（带电）和P（带+电）级的半导体，这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和解读成影像CMOS因为在画素的旁边就放置了讯号放大器，导致其缺点容易出现杂点，特别是处理快速变化的影像时，由于电流变化过于频繁而会产生过热的现象，更使得杂讯难以抑制。感光元件感光元件(Cont.)(Cont.)CMOS对抗CCD的优势在于成本低，耗电需求少,便于制造,可以与影像处理电路同处于一个芯片上。但由于容易有杂讯的缺点，CMOS只能在经济型的数位相机市场中生存FFFFCMOSCMOSFillfactorCMOS属于CMOS感测器中最先进的制程技术。最大的差别在于提高FillFactor（单一画素中可吸收光的面积对整个画素的比例），有效做到提高敏感度、放大CMOS面积（全片幅）和降低杂讯的影响。FillFactorCMOS与CCD感光器比较发现，CCD受限于良率和结构制程，面积越小，画素越高，相对成本也就越低；FillFactorCMOS刚好相反，由于感光开口加大，FFCMOS可以挑战更高画素，更大面积（全片幅），甚至就产出比例来说，FFCMOS单一晶圆的附加价值更大。CCD&CMOSCCD&CMOS放大器位置与放大器位置与数量数量CCD&CMOSCCD&CMOS放大器位置与放大器位置与数量数量
CCD每曝光一次，自快门关闭或是内部时脉自动断线（电子快门）后，即进行画素转移处理，将每一行中每一个画素（pixel）的电荷信号依序传入『缓冲器（电荷存贮器）』中，由底端的线路引导，导致输出至CCD旁的放大器进行放大，再串联ADC（模拟数位资料转换器）
CMOS的设计中每个画素旁就直接连着『放大器』，光电讯号可直接放大再经由BUS通路移动至ADC中转换成数位资料CCDCCD&&CMOSCMOS比较比较CCDCMOS设计单一感光器感光器连结放大器灵敏度同样面积下较(高)感光开口小(低)（FillFactor因感光开口大，较高）成本线路品质影响良率整合制程(高)(低)解析度结构复杂度低传统技术较低(高)新技术摆脱面积限制，可达全片幅杂讯比单一放大器主控多元放大器，误差大(低)(高)CCDCCD&&CMOSCMOS比较比较CCDCMOS耗能比需外加电压导出电荷画素直接放大(高)(低)反应速度慢快IPA(个别画素定址）无有制造机具特殊订制机台可以使用存贮器或处理器制造机CCDCCD&&CMOSCMOS比较比较CCD的特色在于充分保持信号在传输时不失真（专属通道设计），通过每一个画素集合至单一放大器上再做统一处理，可以保持资料的完整性CMOS的制程较简单，没有专属通道的设计，因此必须先行放大再整合各个画素的资料CCDCCD&&CMOSCMOS比较比较ISO感光度差异由于CMOS每个画素包含了放大器与A/D转换电路，过多的额外设备压缩单一画素的感光区域的表面积，因此在相同画素下，同样大小之感光器尺寸，CMOS的感光度会低于CCD。成本差异CMOS应用半导体工业常用的MOS制程，可以一次整合全部周边设施于单芯片中，节省加工芯片所需负担的成本和良率的损失；相对地CCD采用电荷传递的方式输出信息，必须另辟传输通道，如果通道中有一个画素故障（Fail），就会导致一整排的讯号壅塞，无法传递，因此CCD的良率比CMOS低，加上另辟传输通道和外加ADC等周边，CCD的制造成本相对高于CMOS。CCDCCD&&CMOSCMOS比较比较解析度差异在第一点『感光度差异』中，由于CMOS每个画素的结构比CCD复杂，其感光开口不及CCD大，相对比较相同尺寸的CCD与CMOS感光器时，CCD感光器的解析度通常会优于CMOS。不过，如果