第1章半导体二极管及基本应用基本要求了解半导体的基本知识，掌握PN结的单向导电性。掌握普通二极管伏安特性，熟悉其工作特点及其主要参数。掌握稳压二极管的工作特点及其主要参数。学会用万用表识别与检测二极管管脚及其性能好坏。学习指导1、通过本章学习，应该明确二极管伏安特性的变化规律及特点，掌握二极管电路的分析方法；知道本征半导体、P型半导体、N型半导体的特征，理解PN结反偏、正偏、单向导电性的含义。本章重点：二极管的付安特性及二极管电路的基本分析方法。复习思考题何谓本征半导体、P型半导体、N型半导体？它们在导电性能上各有何特点？二极管的正向特性有何特点？（a.存在死区电压，硅管约0.5V,锗管约0.1V；b.二极管正向导通后的压降为恒值，硅管约为0.7V,锗管约为0.3V.）温度对二极管的特性有何影响？（温度升高，正向特性曲线向右移，即正向电流相同，温度升高后其压降减小，温度每升高1°C，正向电压减小约2～2.5mV；温度升高，反向电流显著增大，温度每升高10°C，反向电流约增大一倍）。P14~15.No.1(1)~(4);10;11.第2章半导体三极管及基本放大电路1.基本要求学会用万用表识别与检测三极管管脚及其性能好坏。掌握双极型三极管的结构、型号、分类，正确识别各种三极管电路符号。理解晶体管的工作原理;熟悉三极管的伏安特性及主要参数；掌握三极管的放大作用。熟悉三极管放大电路的功能、组成原则及主要性能指标。熟悉三极管放大电路静态工作点的设置、动态分析方法。掌握共发射极放大电路静态工作点Q及输入电阻、输出电阻、电压放大倍数的估算，会画放大电路的直流同路、交流同路、微变等效电路。了解多级放大电路的耦合方式及多级放大电路的分析方法，掌握阻容耦合放大电路、直接耦合放大电路的特点。2.复习思考题（1）试说明晶体三极管处于放大、饱和、截止工作状态时的特点。a.放大状态：发射结正偏，集电结反偏，iC=βib,iC具有恒流特性，三极管具有线性放大作用。b.饱和状态：发射结和集电结均正偏，iC＜βib,iC不受ib控制而随uCE增大迅速增大，uCE很小，可约等于UCES。c.截止状态：发射结零偏或反偏、集电结反偏，ib≈0，iC≈0。(2)温度对晶体管特性有何影响？温度升高，三极管的导通电压ube下降、β值增大、ICBO增大第4章放大电路的频率响应了解放大电路的频率特性。第5章集成运算放大器1.基本要求掌握差分放大电路的组成、共模抑制比的概念，熟悉差分放大电路的差模特性及对共模信号的抑制作用。2.复习思考题P99No.1(1)~(4)，（6）;2.第6章模拟信号运算与处理电路1.基本要求：（1）正确理解“虚短和虚断”（2）熟练掌握比例、求和、积分运算电路的分析方法。能熟练写出基本运算电路的输出与输入的关系式。2.复习思考题P127~128No.1(1)~(6)，;2（1）~（3）；3.第7章反馈放大电路（1）.反馈的判别；（2）熟悉负反馈对放大电路性能的影响，掌握不同类型负反馈放大电路的性能特点。（3）掌握深度负反馈放大电路的特点及闭环电压增益的估算。第8章信号发生电路1.基本要求（1）掌握正弦波振荡电路产生振荡的条件，熟悉RC、LC振荡电路的组成及其所产生信号的频率特点；熟悉石英晶体振荡电路的组成及其特点。（2）熟悉电压比较器的工作原理，能画出比较器的电压传输特性。2.复习思考题P171No.2;3.第9章功率放大电路1.基本要求了解甲类、乙类、甲乙类功放的特点及其电路组成。掌握乙类互补对称功率放大电路的组成、及主要特点，熟悉其功率和效率的估算。注意，由于功率放大电路中的晶体管工作于大信号状态，所以微变等效电路分析法不再适用。2.复习思考题P186No.1第10章直流稳压电源1.基本要求（1）熟悉直流稳压电源的组成及各组成部分的作用。（2）熟悉单相桥式整流电路的工作原理和电容滤波电路的特点，了解滤波电容的选择原则及输出直流电压的估算。（3）熟悉晶体管串联型稳压电路组成、稳压原理及输出电压的估算。（4）了解集成三端固定和可调输出稳压器型号、性能特点，熟悉其基本应用。（5）了解开关稳压电路的组成、工作特点。2.复习思考题P208No.1~4末考试卷题型一、填空题（每空1分，共18分）二、是非判断题（每空1分，共16分）三、选择题（每空3分，共12分）四、分析与计算题（共55分）