屏蔽效能的仿真与分析北京天源博通科技有限公司此案例用于分析箱体的屏蔽效能。箱体长200mm，高150mm，厚3mm，材料为钢，电导率5.813e+006S/m。图1模型示意图一建立模型1点击按钮建立Brick，输入坐标(0，-3，0)和(200，0，150)，命名为shielding（注意shielding部件要在模型的根目录中）。创建机箱机柜模型其它壳体，为减少计算空间网格，设置传播空间深度20mm。建立brick，在图形用户界面GUI中，找到角点坐标，第二个点坐标在Y方向增加20mm，得到side1，类似的，建立另外三个侧面side2，side3，side4。建立brick，得到封闭面，命名back。2点击平面波，设置角点坐标(-5，-8，-5)和(205，25，155)，这是相当把模型空间区域各个方向拓展5mm。3设置屏蔽点，点击创建观察点p(100，3，75)，命名shieldingpoint。下拉菜单Tools|ShieldingEffectiveness|ShieldingEffect(Modeling)，选中shieldingpoint，sensor长度设置为3mm，如图2所示，点击done。在模型中会增加Ex，Ey，Ez三个edgesensor。Tip：要得到Tools中的ShieldingEffective工具，需要把脚本文件copy到安装目录下GUI\userscripts中。1图2ShieldingEffect建模对话框二参数设置1Settings设置模拟为宽带Broadband响应，中心频率1GHz，带宽1GHz，仿真周期设置为40。。2Solidregionsshielding的电导率ElectricalConductivity设置为5.813e+006，其它的设置为PEC。3Sources点击PlaneWaveSource，可以看到激励波形时域曲线。设置Theta，Phi，Psi都为90°，观察入射波方向和电场极化方向。4Lumpedelemnts此案例没有集总单元，不需任何设置。5Sensors关闭OverallField和RadarCrossSection。6Boundaries(UPML/CPML)把边界的吸收强度都设为low。7Circuits此案例没有电路，不需任何设置。8Grid点击Grid，在GlobalSettings中勾中GangAxes，设置Padding为Manual，把Paddinglow和PaddingHigh设置为0.1。shielding网格模式设置为Boundingbox。最终形成网格42*29*38=0.046284Mcells。9Voxels选择工程文件夹Simulation1，下拉菜单Tools|ShieldingEffectiveness|ShieldingEffect(Simulation)，出来对话框后点击done，自动生成两个新的工程文件夹，一个为withshielding，一个是withoutshielding。10Results2点击批处理运行按钮，勾上withshielding和withoutshielding，点击OK，于是开始运行。三分析结果1运行结束后，下拉菜单Tools|ShieldingEffectiveness|ShieldingEffect(PostPro)，弹出的对话框点击done，得到屏蔽效能曲线，见图3。双击图形可以修改曲线显示属性。图3屏蔽效能曲线2讨论磁导系数对屏蔽效能的影响。修改相对磁导系数为100，这时网格明显增多，变为170*36*134=0.82008Mcells。和上面简述的一样的步骤，得到此时的屏蔽效能曲线，如图4所示。3图4一定磁导系数下的屏蔽效能曲线4