炭炭复合材料项目可行性研究汇报第一章总论一、项目背景炭/炭复合材料单晶生长热场系统产业化项目，由长沙经济技术开发区科伦新材料负责实施。项目建设规模为：炭/炭复合材料20，000千克/年，碳/石墨材料400吨/年。项目建设选址国家级关键经济开发区——国家级长沙经济技术开发区。本项目属于国家级长沙经济技术开发区激励大力发展六大产业之一，项目性质是高科技新材料产业项目。项目名称炭/炭复合材料单晶生长热场系统产业化项目承接单位慨况长沙经济技术开发区科伦新材料属股份制企业，由湖南省星沙实业（集团）发展、蒋建纯教授共同出资成立。其中，蒋建纯教授以其拥有居国际优异水平专利技术作技术出资。生产基地在长沙市经济技术开发区内，占地30亩，花园式工业区，是星沙实业集团下属单位。关键从事新材料开发及生产。蒋建纯女士系中南大学粉末冶金学院教授、博士生导师，蒋建纯教授领导科研队伍在该领域居于国际领先地位。新材料企业以蒋建纯教授拥有专利知识产权技术和雄厚研发实力为依靠，经过整合人才、技术和市场优势，构筑新材料基地。新材料企业计划投资6000万元，建设年产20，000千克C/C复合材料、C/石墨材料400吨生产线，实现年工业产值1.9亿元以上。而且新材料企业计划以此为产业基础，经过3年时间，使企业产品能够覆盖中国大部分或全部硅单晶生长炉热场系统，逐步进入国外硅单晶炉热场系统市场；努力开发新产品，扩大该新材料应有领域，使其应有到其它晶体生长设备及相关高技术领域。项目提出理由和过程当今世界新材料发展日新月异，尤其是电子、通讯等相关领域发展迅猛，对硅材料需求十分旺盛。数十年以来，硅材料行业一直以“提升硅单晶尺寸和质量”为关键目标，前后生产了4、5、6、8、12、16、18英寸硅片。据最新《国家半导体技术（ITRS）》介绍，直径18英寸硅单晶抛光片是12英寸下一代产品，也是未来22nm线宽64G集成电路衬底材料。集成电路产业是信息产业关键，全世界以集成电路为关键电子元器件，95%以上是硅材料制成，其中直拉硅单晶用量超出85%。伴随超大规模集成电路集成度快速提升，迫切要求采取大直径直拉硅单晶抛光片。超纯及完整晶体结构硅晶体是一条长长价值链起点。没有硅晶体就没有半导体、光电子、通讯技术及光电技术。硅晶体棒用于制作晶圆，晶圆是半导体工业中制作芯片基础材料。硅材料另一个大需求来自太阳能。从长远看，世界上二分之一以上能源生产要采取可再生能源。可再生资源关键有风、水、太阳能。太阳能直接转换成电能（光电效应）靠太阳能电池完成。电池原材料是带特定晶体结构硅。教授估计：在以后十年，结晶硅将在太阳能电池生产中成为在、最关键材料。硅片工业现在在生产和市场方面已经形成了垄断，日本、德国等国资本控制八大硅片企业销量占硅片总销量90%，目前IC用主流硅片是8英寸，并向12英寸过渡。市场调研估计，到，12英寸硅片百分比将由现在1.3%增加到21.1%。在IC和太阳能发电等领域对硅单晶巨大需求和消费，对其生产能力对生产技术提出了更高要求。其中生产高纯半导体材料高温电热真空炉——硅单晶生长炉正在向大型化、自动化方向发展。硅单晶生长炉隔热保温筒、坩埚、发烧体等热场系统元件采取高纯石墨、超高纯石墨材料制造，产品要求材料金属杂质含量要求不超出5~30ppm。同时硅单晶生长炉最关键易损件消耗量尤其大。依据权威部门统计，一台小型晶体生长炉（如12英寸）每十二个月消耗石墨坩埚、加热器、保温隔热材料价值，达成20万元以上；一台大型晶体生长炉热场系统备件损耗，可达50万元以上。因为生产大型高纯石墨、超高纯石墨材料工艺控制难，需要大型等静压设备等，其投资极大。所以，高纯石墨尺寸受到限制，常常不能满足制造较大硅单晶生长炉热场零件要求；另外，石墨脆性大，机械强度不高，使用可靠性不强，使用寿命短。本项目提出炭/炭复合材料单晶生长热场系统零件材料及热场处理方案，经过实践验证，对处理以上问题起到了很好效果。实施本案对发展大型硅单晶生长设备，制造大尺寸晶体，提升中国微电子技术水平含有极为重大意义。可行性研究汇报编制依据（1）《投资项目可行性研究指南》（中国电力出版社）；（2）项目提议书及批复文件（同意文号）；（3）合资双方签定合资意向书及相关会议纪要；（4）业主提供相关资料；（5）国家、湖南省、长沙市国民经济和社会发展第十个五年计划；（6）长沙经济技术开发区产业发展计划；（7）国家计委、建设部颁布《建设工程项目经济评价方法和参数》；（8）其它文件、协议等。项目概况拟建地点本项目拟建于国家级长沙经济技术开发区内。国家级长沙经济技术开发区创建于1992年8月，2月经国务院同意为国家级经济技术开发区。建区9年多来，开发区坚持“以工业项目为主、吸引外资为主、出口为主和致