GaN基LED中有源区的极化场调控的开题报告一、背景介绍氮化镓（GaN）基LED已经成为了照明和半导体照明领域中关键的器件。然而，由于在GaN基LED中存在着极化场，导致了一些性能问题，例如量子效率和漏电流。因此，研究如何调控GaN基LED中的极化场成为了当前该领域内的一个热点问题。二、研究目标本项目的主要研究目标是探索如何调控GaN基LED中的极化场，以提高其性能表现。具体研究内容包括：1.分析GaN基LED中的极化场特性和机制；2.研究如何通过调控层厚度和材料来调节极化场；3.实验制备不同极化场的GaN基LED，并系统性地研究其性能表现；4.分析实验结果，探索如何进一步优化GaN基LED中的极化场调控，提高器件的性能。三、研究方法本项目将采用以下方法：1.系统性文献综述和分析，深入掌握GaN基LED中的极化场特性和机制；2.通过建立数学模型和应用数值方法计算、分析GaN基LED中的极化场；3.制备不同极化场的GaN基LED，采用光电特性测试仪、扫描探针显微镜等测试仪器系统性地研究其性能表现；4.基于实验结果，探索如何进一步优化GaN基LED中的极化场调控，提高器件的性能。四、研究意义通过本次研究，将有助于深入掌握GaN基LED中的极化场特性和机制，为后续优化GaN基LED性能提供理论基础。同时，本研究成果也有望为照明和半导体照明领域内的器件设计和制备提供指导性意见和技术支撑。