90nmMOSFET结构和工艺优化的开题报告一、选题背景和意义随着半导体工艺的不断提升，MOSFET器件结构不断优化，最终提高了器件性能。在目前的CMOS工艺中，MOSFET器件的尺寸已经进入纳米级别，并不断缩小，这也带来了越来越多的挑战。因此，在优化MOSFET器件结构和工艺技术方面有很大的意义，可以提高器件的性能和可靠性，在芯片应用上找到更广泛的应用空间。二、研究内容本课题将对90nmMOSFET器件结构和工艺进行优化研究，主要研究内容包括：1.优化MOSFET器件的结构，减小器件的漏电流和静态功耗，提高开关速度和性能。2.研究MOSFET器件的工艺过程，优化工艺参数，提高器件的制作成功率。3.利用国内外厂家的MOSFET器件制作流程，对比分析优化结果。三、研究方法本研究将采用以下方法进行：1.基于基础学术理论和现有的工艺技术，分析MOSFET器件的结构和工艺流程，找到存在的问题和改善方向。2.利用Cadence软件进行电路设计和仿真，验证优化后的MOSFET器件的性能和可靠性。3.在国内外良好的设备资源条件下，进行MOSFET器件的制作和测试，对比评估优化结果。四、研究进度安排1-2月：研究引言和背景；调查相关文献和资料；3-4月：学习和掌握Cadence设计和仿真软件；进行电路设计和仿真；5-6月：优化MOSFET器件的结构和工艺参数，进行仿真验证；7-8月：进行设备制作和测试，对比分析优化效果；9-10月：撰写论文和报告；11-12月：论文修改和完善。五、研究预期成果1.在90nmMOSFET器件的结构和工艺优化方面进行深入的研究，找到改进的方法和方向；2.通过Cadence软件的仿真，验证优化后的器件性能和可靠性；3.通过实验测试，对比分析优化结果，为MOSFET器件的工艺优化提供参考和指导。